电子发烧友网报道（文/吴子鹏） 正在全球半导体财产款式中，光刻机被誉为 “半导体工业皇冠上的明珠”，而极紫外（EUV）光刻手艺更是先辈制程芯片制制的焦点。持久以来，荷兰 ASML 公司几乎垄断了全球 EUV 光刻设备市场，成为晶圆厂迈向 7nm、5nm 甚至更先辈制程绕不开的 “守门人”。然而，近日俄罗斯科学院微布局物理研究所发布的一份国产 EUV 光刻设备持久线图，激发了业界的普遍关心取会商 —— 俄罗斯，正正在试图挑和 ASML 的霸权。俄罗斯科学院微布局物理研究所发布的 EUV 光刻设备线 纳米波长光源，取 ASML 支流设备构成手艺分野。该方案摒弃了 ASML 的锡液滴等离子体光源，转而采用氙气等离子体取夹杂固态激光器的组合设想，无效避免了光源碎屑对光掩模的毁伤，大幅降低了设备频次。正在光学系统方面，俄罗斯团队立异性地选用钌铍合金（Ru/Be）材料做为反射镜组件，共同 11。2 纳米波长实现高效光传输。这一设想规避了 ASML 深紫外（DUV）设备所需的高压淹没液和多沉图形化工艺，通过简化光学布局降低了手艺复杂度。项目牵头人尼古拉・奇哈洛婉言，新方案的焦点劣势正在于 “用波长优化实现成本取精度的均衡”，这种思取俄罗斯正在根本物理范畴的保守劣势构成了呼应。俄罗斯的 EUV 研发打算以三阶段递进模式，勾勒出从成熟制程到先辈工艺的攻坚径，每一步都暗藏对 ASML 手艺系统的锐意规避：第一阶段（2026-2028 年）聚焦 “破冰”，方针实现 40 纳米制程设备量产。该阶段设备采用双反射镜物镜系统，套刻精度节制正在 10 纳米，虽每小时仅能处置 5 片晶圆，却能满脚汽车电子、工业节制等范畴的刚需。这一设想精准对接了俄罗斯当前最紧迫的芯片需求，避免了初期研发取市场需求的脱节。第二阶段（2029-2032 年）对准 “适用化”，将制程能力提拔至 28 纳米并预留 14 纳米升级空间。通过引入四反射镜光学系统，套刻精度提拔至 5 纳米，同时将吞吐量提拔 10 倍至每小时 50 片。更环节的是，该阶段设备将整合进俄罗斯本土芯片出产线，起头验证手艺生态的闭环能力。第三阶段（2033-2036 年）剑指 “先辈化”，方针告竣亚 10 纳米制程。六反射镜设置装备摆设将套刻精度推向 2 纳米级别，26×2 毫米的场取每小时 100 片的吞吐量，使其具备了取 ASML 中低端机型合作的潜力。研发团队声称，其单元成本将显著低于 ASML 的 Twinscan 系列，试图以性价比打开市场缺口。整个项目周期从 2026 年持续至 2037 年，方针是正在 2037 年前实现亚 10nm 制程的量产能力。这一线图虽不及 ASML 当前的手艺程度，已是一次极具大志的手艺突围。手艺壁垒高建：EUV 光刻涉及光源、光学系统、细密机械、材料科学等多个尖端范畴，俄罗斯虽正在根本科研方面实力雄厚，但正在高端制制、细密光学、工业从动化等方面存正在短板。生态系统缺失：11。2nm 波长意味着无法兼容现有的 EUV 根本设备，俄罗斯必需开辟包罗光刻胶、掩膜、检测设备正在内的完整财产链，这将极大拉长研发周期并提高成本。其设备次要面向小型晶圆厂，吞吐量和精度仍难取 ASML 媲美，贸易化前景不开阔爽朗。加之国际制裁布景下，俄罗斯半导体财产取国际支流脱钩，设备出口取合做的空间无限。此外，人才取资金的缺口同样致命。EUV 研发需要物理、材料、细密制制等多范畴的顶尖人才协同，而俄罗斯近年来面对高端科技人才流失的窘境。据俄媒披露，其半导体范畴的研发投入不脚全球总量的 0。3%，而 ASML 单家企业 2024 年的研发费用就达 35 亿欧元。即便俄罗斯打算正在 2026 年后每年拆卸 5 台光刻激光器，这种投入规模取 EUV 研发所需的持续资金支撑比拟，仍显杯水车薪。虽然挑和沉沉，俄罗斯的 EUV 线图仍可能成为全球半导体款式的主要变量。其计谋价值不只正在于手艺本身，更正在于供给了一种 “非对称合作” 的新范式 —— 放取舍 ASML 正在高端产能上间接匹敌，转而聚焦小型晶圆厂的高性价比需求。这种定位精准射中了全球半导体财产的布局性缺口：正在汽车、物联网等范畴，大量企业需要的是成本可控的成熟制程设备，而非 ASML 动辄上亿美元的高端机型。对于被 “瓦森纳协定” 解除正在先辈手艺之外的国度而言，俄罗斯的洁净型 EUV 方案可能具备特殊吸引力。无需高压淹没系统、使其正在新兴市场具备天然劣势。这种可能性的前提是线图可以或许按打算落地。从 ASML 的成长过程来看，其从研发到量产耗时近 20 年，而俄罗斯打算用 11 年实现从 40 纳米到亚 10 纳米的逾越，进度规划过于激进。更现实的前景是，俄罗斯可能正在 2030 年前实现 28 纳米制程的自从化，满脚本土 80% 的成熟芯片需求，从而正在必然程度上脱节制裁。但无论最终成果若何，这份线图都传送出一个清晰信号：正在科技合作的赛道上，没有永久的垄断者，只要不竭迭代的立异者。俄罗斯的测验考试大概难以复制 ASML 的成功，却可能为全球半导体手艺供给另一种成长思 —— 正在精度取成本、自从取合做之间，寻找更适合本身的之道。这场逾越十余年的手艺攻坚，终将成为察看全球半导体财产款式演变的主要窗口。俄罗斯科学院微布局物理研究所抛出的这份 EUV 光刻机线图，从来不止是一份手艺攻坚打算，更是一个被全球半导体手艺倒逼出的 “破局信号”。它没有盲目对标 ASML 的顶尖制程，而是以 11。2 纳米波长的差同化光源、钌铍合金反射镜的立异设想，锚定汽车电子、工业节制等成熟制程刚需，用 “成本取精度均衡” 的思，走出了一条非对称合作的径 —— 这种立脚本身需求、规避手艺壁垒的策略，恰好戳中了当前全球半导体财产的布局性缺口：并非所有市场都需要上亿美元的高端机型，大量行业对 “性价比优先” 的成熟制程设备的渴求，本就是被垄断款式的实正在需求。当然，这份线图的大志背后，是难以回避的现实挑和：从细密光学制制的短板、11。2 纳米波长配套生态的从零建立，到高端人才流失取研发投入的杯水车薪，每一步都着俄罗斯半导体财产的分析实力。即便按打算推进，2037 年实现亚 10 纳米量产的方针，取 ASML 当前的手艺代差仍客不雅存正在，贸易化前景更需时间验证。